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玉田 正男; 越川 博; 細井 文雄; 諏訪 武
Radiation Physics and Chemistry, 54(4), p.409 - 411, 1999/00
被引用回数：2 パーセンタイル：21.16(Chemistry, Physical)ポリビニルカルバゾール(PVCz)を323Kから623Kのアルゴンガス雰囲気で2MeVの電子線を照射し、架橋をゲルパーミエーションクロマトグラムとゲル分率で評価した。50KGyの
線照射ではPVCzは分解したが、同線量の電子線照射では高分子量成分が増加し、架橋した。100KGyまで照射すると線を用いた場合においても架橋が生じ、線量の増加とともにゲル分率が増加した。500KGyの照射で電子線では75%、線では60%のゲル分率が得られた。電子線照射の場合について、照射温度の影響を検討したところ、ガラス転移点に近い473Kまでの加熱では架橋の効率が上昇した。さらに昇温すると熱分解が生じ、架橋の効率が低下した。
玉田 正男; 大道 英樹; 奥居 徳昌*
Thin Solid Films, 268, p.18 - 21, 1995/00
被引用回数：34 パーセンタイル：84.61(Materials Science, Multidisciplinary)赤熱フィラメントにより重合が誘起される蒸着重合法により、エレクトロルミネッセンス素子のホール移動層として利用可能なポリビニルカルバゾール薄膜の作製を試みた。赤熱フィラメントの存在下、N-ビニルカルバゾール(NVC
)を100nmの厚みの銀をコーティングしたスライドガラス基板の上に蒸着重合した。蒸着重合とアニールの過程を赤外反射吸収法によりその場観察した。NVCはフィラメント温度が2300K、基板温度が266Kの場合、最もよく基板に付着した。上記条件で蒸着重合した薄膜を285Kでアニールすることにより、重合はさらに進行した。この製作により得られたポリビニルカルバゾール薄膜の数平均分子量は1.1
10
で、重合収率は88%であった。
青木 康; 南波 秀樹; 細井 文雄; 永井 士郎
ACS Symposium Series, 579; Polymeric Materials for Microelectronic Applications,Science and Technology, 0, p.45 - 50, 1994/00
簡易イオンビーム発生器(200keV)からのHe
イオンを照射中に、ポリスチレン、ポリ(2-ビニルナフタレン)ポリ(N-ビニルカルバゾール)からの光を光ダイオードアレイヌは光電子増倍管を用いて、分光分析した。上記の芳香族フィルムからの発光は、照射直後から観測されるエキシマー発光の他、ポリスチレン、ポリ(2-ビニルナフタレン)についてはイオンフルエンスが10
(ions/cm
)から10
(ions/cm)にわたって生成してくる新しい発光が得られた。モノマー発光は得られなかった。新しい発光については、その生成速度がエキシマー発光の消滅速度と一致し、イオントラックの重なりにより起こる現象と考えられる。
